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IC半导体级 SIO2 二氧化层硅片热氧化工艺单氧双氧单双抛

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热氧化物表面形成二氧化硅层。在氧化剂的存在下在升高的温度下，给过程称为热氧化。通常生长热氧化层的在水平管式炉中。温度范围控制在900到1200摄氏度，使用湿法或者干法的生长方法。热氧化物是一种生长的氧化物层。相对于CVD法沉积的氧化物层，它具有较高的均匀性和更高的介电强度。这是一个极好的作为绝缘体的介电层。大多数硅为基础的设备中，热氧化层都扮演着非常重要的角色，以安抚硅片表面。作为掺杂障碍和表面电介质。
应用范围：
1，刻蚀率测定
2，金属打线测试
3，金属晶圆
4，电性绝缘层
产品名称：4英寸二氧化硅抛光硅片（SiO2）
生长方式：直拉单晶（CZ）热氧化工艺
直径与公差：100±0.4mm
掺杂类型：N型(掺磷、砷、锑) P型（掺硼）
晶向：\
电阻率：0.001-50(Ω•cm) 可按客户要求定制
工艺数据：平整度TIR:<3μm 、翘曲度TTV: <10μm 、弯曲度BOW< 10μm 、粗糙度<0.5nm、颗粒度< 10 (for size > 0.3μm)
现有规格：50nm 100nm 200nm 300nm 500nm 1000nm 2000nm

用途介绍：用于工艺等同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体半导体