二氧化硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
二氧化硅基底石墨烯(1*1cm单层) Graphene on SiO2
表面电阻:小于600Ω/sq
定做:<300Ω/sq
透明度:> 95%
制备方法:
1)采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯
2)石墨烯从铜转移到硅衬底
联系人:严春伟
手机:13914543285
电话:0523-86190619,86192878
邮箱:taizhou@sunano.com.cn
地址: 江苏省泰州市凤凰西路168号