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硫化锗晶体 GeS(Germanium Sulfide)
晶体尺寸：~10毫米
电学性能：半导体
晶体结构：斜方晶系
晶胞参数：a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶体类型：合成
晶体纯度：＞99.995%
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