硒化铟晶体 In2Se3(Indium Selenide) 晶体尺寸:8-10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a = b = 0.398 nm, c = 18.89 nm, α = β = 90°, γ = 120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%
TiSe2 二硒化钛晶体
TaSe2 二硒化钽晶体
ZrSe3 三硒化锆晶体
Sb2Se3 硒化锑晶体
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